书目信息 |
题名: |
纳米级CMOS超大规模集成电路可制造性设计
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作者: | 坤社 , 斯里达尔 著 ;王昱阳 , 谢文遨 译 | |
分册: | ||
出版信息: | 北京 科学出版社 2014 |
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页数: | 11,261页 | |
开本: | 24cm | |
丛书名: | ||
单 册: | ||
中图分类: | TN432.02 | |
科图分类: | ||
主题词: | 纳米材料--CMOS电路--超大规模集成电路--电路设计--教材 | |
电子资源: | ||
ISBN: | 978-7-03-040034-5 |
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306 | @a麦格劳-希尔(亚洲)教育出版出版公司和中国科技出版传媒股份有限公司合作出版 | |
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330 | @a本书内容包括:CMOSVLSI电路设计的技术趋势;半导体制造技术;光刻技术;工艺和器件的扰动和缺陷分析与建模;面向可制造性的物理设计技术;测量、制造缺陷和缺陷提取;缺陷影响的建模和合格率提高技术;物理设计和可靠性;DFM工具和DFM方法等。 | |
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纳米级CMOS超大规模集成电路可制造性设计/(美)Sandip Kundu,(印)Aswin Sreedhar著/王昱阳,谢文遨译.-北京:科学出版社,2014 |
11,261页:图;24cm |
ISBN 978-7-03-040034-5:CNY58.00 |
本书内容包括:CMOSVLSI电路设计的技术趋势;半导体制造技术;光刻技术;工艺和器件的扰动和缺陷分析与建模;面向可制造性的物理设计技术;测量、制造缺陷和缺陷提取;缺陷影响的建模和合格率提高技术;物理设计和可靠性;DFM工具和DFM方法等。 |
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正题名:纳米级CMOS超大规模集成电路可制造性设计
索取号:TN432.02/5
 
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序号 | 登录号 | 条形码 | 馆藏地/架位号 | 状态 | 备注 |
1 | 1677404 | 216774042 | 样本书库/3111370403/ [索取号:TN432.02/5] | 在馆 | |
2 | 1677405 | 216774051 | 理科库/3111370403/ [索取号:TN432.02/5] | 在馆 | |
3 | 1677406 | 216774060 | 理科库/3111370403/ [索取号:TN432.02/5] | 在馆 |