书目信息 |
| 题名： |
纳米级CMOS超大规模集成电路可制造性设计
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| 作者： | 坤社 ， 斯里达尔 著 ；王昱阳 ， 谢文遨 译 | |
| 分册： | ||
| 出版信息： | 北京 科学出版社 2014 |
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| 页数： | 11,261页 | |
| 开本： | 24cm | |
| 丛书名： | ||
| 单 册： | ||
| 中图分类： | TN432.02 | |
| 科图分类： | ||
| 主题词： | 纳米材料--CMOS电路--超大规模集成电路--电路设计--教材 | |
| 电子资源： | ||
| ISBN： | 978-7-03-040034-5 | |
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| 305 | @a麦格劳-希尔（亚洲）教育出版出版公司授权出版 | |
| 306 | @a麦格劳-希尔（亚洲）教育出版出版公司和中国科技出版传媒股份有限公司合作出版 | |
| 312 | @a英文原名：Nanoscale CMOS VLSI circuits design for manufacturability | |
| 330 | @a本书内容包括：CMOSVLSI电路设计的技术趋势；半导体制造技术；光刻技术；工艺和器件的扰动和缺陷分析与建模；面向可制造性的物理设计技术；测量、制造缺陷和缺陷提取；缺陷影响的建模和合格率提高技术；物理设计和可靠性；DFM工具和DFM方法等。 | |
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| 纳米级CMOS超大规模集成电路可制造性设计/(美)Sandip Kundu，(印)Aswin Sreedhar著/王昱阳，谢文遨译.-北京：科学出版社，2014 |
| 11,261页：图；24cm |
| ISBN 978-7-03-040034-5：CNY58.00 |
| 本书内容包括：CMOSVLSI电路设计的技术趋势；半导体制造技术；光刻技术；工艺和器件的扰动和缺陷分析与建模；面向可制造性的物理设计技术；测量、制造缺陷和缺陷提取；缺陷影响的建模和合格率提高技术；物理设计和可靠性；DFM工具和DFM方法等。 |
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| 相关链接 |
正题名：纳米级CMOS超大规模集成电路可制造性设计
索取号：TN432.02/5
预约/预借
| 序号 | 登录号 | 条形码 | 馆藏地/架位号 | 状态 | 备注 |
| 1 | 1677404 | 216774042 | 样本书库/3111370403/ [索取号:TN432.02/5] | 在馆 | |
| 2 | 1677405 | 216774051 | 理科库/3111370403/ [索取号:TN432.02/5] | 在馆 | |
| 3 | 1677406 | 216774060 | 理科库/3111370403/ [索取号:TN432.02/5] | 在馆 |