书目信息 |
| 题名： |
CMOS及其他先导技术
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| 作者： | 刘金 ， 库恩 著 ；雷鑑铭 译 | |
| 分册： | ||
| 出版信息： | 北京 机械工业出版社 2018 |
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| 页数： | 10,329页 | |
| 开本： | 24cm | |
| 丛书名： | 电子电气工程师技术丛书 | |
| 单 册： | ||
| 中图分类： | TN432.02 | |
| 科图分类： | ||
| 主题词： | CMOS电路--电路设计 | |
| 电子资源： | ||
| ISBN： | 978-7-111-59391-1 | |
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| 306 | @a与剑桥大学出版社合作出版 | |
| 330 | @a本书概述现代CMOS晶体管的技术发展，提出新的设计方法来改善晶体管性能存在的局限性。分四部分。第一部分回顾了芯片设计的注意事项以及具有更大亚阈值摆幅的器件；第二部分涵盖了利用量子力学隧道效应作为开关原理来实现更陡峭亚阈值摆幅的各种器件设计；第三部分涵盖了利用替代方法实现更高效开关性能的器件；第四部分涵盖了利用磁效应或电子自旋携带信息的器件。 | |
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| CMOS及其他先导技术=CMOS and beyond：特大规模集成电路设计：logic switches for terascale integrated circuits/(美)刘金(Tsu-Jae King Liu)，(美)科林·库恩(Kelin Kuhn)等著/雷鑑铭等译.-北京：机械工业出版社，2018 |
| 10,329页：图；24cm.-(电子电气工程师技术丛书) |
| ISBN 978-7-111-59391-1：CNY99.00 |
| 本书概述现代CMOS晶体管的技术发展，提出新的设计方法来改善晶体管性能存在的局限性。分四部分。第一部分回顾了芯片设计的注意事项以及具有更大亚阈值摆幅的器件；第二部分涵盖了利用量子力学隧道效应作为开关原理来实现更陡峭亚阈值摆幅的各种器件设计；第三部分涵盖了利用替代方法实现更高效开关性能的器件；第四部分涵盖了利用磁效应或电子自旋携带信息的器件。 |
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正题名：CMOS及其他先导技术
索取号：TN432.02/8
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| 序号 | 登录号 | 条形码 | 馆藏地/架位号 | 状态 | 备注 |
| 1 | 1755363 | 217553635 | 样本书库/ [索取号:TN432.02/8] | 在馆 | |
| 2 | 1755364 | 217553644 | 理科库/ [索取号:TN432.02/8] | 在馆 | |
| 3 | 1755365 | 217553653 | 理科库/ [索取号:TN432.02/8] | 在馆 |