书目信息 |
| 题名： |
微波器件电磁损伤规律研究
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| 作者： | 谭志良 著 | |
| 分册： | ||
| 出版信息： | 北京 科学出版社 2018 |
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| 页数： | 210页 | |
| 开本： | 24cm | |
| 丛书名： | ||
| 单 册： | ||
| 中图分类： | TN385 | |
| 科图分类： | ||
| 主题词： | 微波半导体器件--研究 | |
| 电子资源： | ||
| ISBN： | 978-7-03-059112-8 | |
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| 304 | @a著者还有：马立云、宋培姣、谢鹏浩、王玉明 | |
| 330 | @a本书由浅入深、系统地介绍了几种常用的微波半导体器件的电磁损伤机理。首先介绍了几种微波半导体器件基础知识和典型的电磁脉冲及其效应，然后重点通过仿真分析和实验分析介绍了几种微波半导体器件的电磁损伤机理，最后简要介绍了几种半导体器件电磁损伤模型。 | |
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| 微波器件电磁损伤规律研究/谭志良[等]著.-北京：科学出版社，2018 |
| 210页：图；24cm |
| 使用对象：微波半导体器件研究人员 |
| ISBN 978-7-03-059112-8：CNY88.00 |
| 本书由浅入深、系统地介绍了几种常用的微波半导体器件的电磁损伤机理。首先介绍了几种微波半导体器件基础知识和典型的电磁脉冲及其效应，然后重点通过仿真分析和实验分析介绍了几种微波半导体器件的电磁损伤机理，最后简要介绍了几种半导体器件电磁损伤模型。 |
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正题名：微波器件电磁损伤规律研究
索取号：TN385/1
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| 1 | 1832799 | 218327996 | 样本书库/ [索取号:TN385/1] | 在馆 | |
| 2 | 1832800 | 218328003 | 理科库/3111380403/ [索取号:TN385/1] | 在馆 | |
| 3 | 1832801 | 218328012 | 理科库/3111380403/ [索取号:TN385/1] | 在馆 |