书目信息 |
| 题名： |
抗辐射集成电路设计理论与方法
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| 作者： | 高武 著 | |
| 分册： | ||
| 出版信息： | 北京 清华大学出版社 2018 |
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| 页数： | 308页 | |
| 开本： | 27cm | |
| 丛书名： | ||
| 单 册： | ||
| 中图分类： | TN402 | |
| 科图分类： | ||
| 主题词： | 抗辐射性--集成电路--电路设计 | |
| 电子资源： | ||
| ISBN： | 978-7-302-50529-7 | |
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| 抗辐射集成电路设计理论与方法=Design theories and methods of radiation-hardened CMOS integrated circuits/高武著.-北京：清华大学出版社，2018 |
| 308页：图；27cm |
| 使用对象：抗辐射性技术研究人员 |
| ISBN 978-7-302-50529-7(精装)：CNY139.00 |
| 本书共13章，主要分为三个部分，第一部分首先介绍抗辐射集成电路的研究进展、最新的设计理论和发展方向；并讲述辐射环境、辐射效应、辐射环境模拟机效应仿真等的基本概念、基础理论和相关技术；第二部分介绍辐射环境模拟和辐射效应仿真，抗辐射CMOS数字和模拟电路设计方法学；总剂量效应、移位损伤效应和单粒子效应的试验测量和性能评估；第三部分为经典CMOS集成电路的抗辐射加固设计举例，详细介绍前端读出集成电路、ADC、混合信号MCU的设计。 |
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正题名：抗辐射集成电路设计理论与方法
索取号：TN402/14
预约/预借
| 序号 | 登录号 | 条形码 | 馆藏地/架位号 | 状态 | 备注 |
| 1 | 1832925 | 218329253 | 样本书库/4110480303/ [索取号:TN402/14] | 在馆 | |
| 2 | 1832926 | 218329262 | 理科库/3111370103/ [索取号:TN402/14] | 在馆 | |
| 3 | 1832927 | 218329271 | 理科库/3111370103/ [索取号:TN402/14] | 在馆 |