书目信息 |
题名: |
微电子器件物理
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作者: | 刘艳红 , 冯秋菊 编著 | |
分册: | ||
出版信息: | 北京 科学出版社 2019 |
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页数: | 15,333页 | |
开本: | 24cm | |
丛书名: | 信息科学技术学术著作丛书 | |
单 册: | ||
中图分类: | TN4 | |
科图分类: | ||
主题词: | 微电子技术--电子器件--物理学--研究 | |
电子资源: | ||
ISBN: | 978-7-03-061173-4 |
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微电子器件物理/刘艳红,冯秋菊编著.-北京:科学出版社,2019 |
15,333页:图;24cm.-(信息科学技术学术著作丛书) |
使用对象:微电子技术人员 |
ISBN 978-7-03-061173-4:CNY130.00 |
本书涉及的微电子器件包括二极管、双极晶体管、GaAs场效应晶体管、MOS场效应晶体管等微电子器件,从其静态特性、直接特性、小信号交流特性、开关特性、击穿特性等方面对其性能及机理进入了深入的分析与讨论,揭示了器件性能与器件结构参数、工艺参数及物理参数间的关系。还介绍了纳米CMOS器件所要解决的主要问题,有助于读者了解小尺寸器件进一步发展所需要解决的主要问题。 |
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正题名:微电子器件物理
索取号:TN4/25
 
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1 | 1833148 | 218331482 | 样本书库/ [索取号:TN4/25] | 在馆 | |
2 | 1833149 | 218331491 | 理科库/3111390403/ [索取号:TN4/25] | 在馆 | |
3 | 1833150 | 218331507 | 理科库/3111390403/ [索取号:TN4/25] | 在馆 |