书目信息 |
| 题名： |
纳米数字集成电路的偏差效应分析与优化
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| 作者： | 靳松 ， 韩银和 著 | |
| 分册： | ||
| 出版信息： | 北京 清华大学出版社 2019.06 |
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| 页数： | 181页 | |
| 开本： | 24cm | |
| 丛书名： | ||
| 单 册： | ||
| 中图分类： | TN431.2 | |
| 科图分类： | ||
| 主题词： | 纳米材料--数字集成电路--研究 | |
| 电子资源： | ||
| ISBN： | 978-7-302-52299-7 | |
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| 纳米数字集成电路的偏差效应分析与优化：从电路级到系统级=Analysis and optimization on large-scale CMOS integrated circuits in the presence of parameter variability：from circuit-level to system level/靳松，韩银和著.-北京：清华大学出版社，2019.06 |
| 181页：图；24cm |
| 使用对象：数字集成电路、逻辑集成电路研究人员 |
| ISBN 978-7-302-52299-7：CNY69.00 |
| 本文的主要内容涉及了在纳米工艺下较为严重的晶体管老化效应-负偏置温度不稳定性和制造过程中引起的参数偏差。介绍了参数偏差效应产生的物理机制及对电路服役期可靠性的影响，并提出了从电路级到系统级的相应的分析、预测和优化方法。 |
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| 相关链接 |
正题名：纳米数字集成电路的偏差效应分析与优化
索取号：TN431.2/23
预约/预借
| 序号 | 登录号 | 条形码 | 馆藏地/架位号 | 状态 | 备注 |
| 1 | 1841476 | 218414767 | 样本书库/ [索取号:TN431.2/23] | 在馆 | |
| 2 | 1841477 | 218414776 | 理科库/3111370402/ [索取号:TN431.2/23] | 在馆 | |
| 3 | 1841478 | 218414785 | 理科库/3111370402/ [索取号:TN431.2/23] | 在馆 |