• 首页
  • 本馆介绍
  • 公告通知
  • 最新文献
  • 馆藏检索
  • 电子资源
  • 读者导购
  • 参考咨询
  • 我的图书馆
  • 登录
  • 详细信息显示
  • 放入我的书架
  • 预约/预借图书
  • 作者相关作品
  • 分类相关作品
  • 丛书相关作品
  • 出版社相关作品

书目信息

  • 表格格式
  • 工作单格式
  • 卡片格式
题名:
超晶格真随机数产生技术
    
 
作者: 刘延飞 著
分册:  
出版信息: 北京   国防工业出版社  2024
页数: 141页
开本: 24cm
丛书名:
单 册:
中图分类: TN304.9
科图分类:
主题词: 超晶格半导体--研究
电子资源:
ISBN: 978-7-118-13304-2
000 01038nam0 2200253 450
001 1326779981
005 20130101072723.30
010    @a978-7-118-13304-2@dCNY80.00
035    @a(A100000NLC)013003516
049    @aA100000NLC@bUCS01012582182@c013003516@dNLC01
100    @a20240703d2024 em y0chiy0110 ea
101 0  @achi
102    @aCN@b110000
105    @aa z 000yy
200 1  @a超晶格真随机数产生技术@9chao jing ge zhen sui ji shu chan sheng ji shu@b专著@f刘延飞[等]著
210    @a北京@c国防工业出版社@d2024
215    @a141页@c图@d24cm
304    @a著者还有:杨东东、陈诚、李修建、李琪、胡元奎
330    @a本书利用半导体超晶格作为真随机数发生器的混沌熵源,针对超晶格作为混沌熵源时所涉及的器件设计、混沌信号分析、随机数提取等问题进行研究,从理论上对超晶格混沌产生自激振荡的机理进行了研究,从实践上实现了基于超晶格混沌熵源的随机数发生器设计及产生真随机数的评估。
606 0  @a超晶格半导体@x研究
690    @aTN304.9@v5
701  0 @a刘延飞@9liu yan fei@4著
801  2 @aCN@bOLCC@c20240808
905    @a241250@dTN304.9@e2
    
    超晶格真随机数产生技术/刘延飞[等]著.-北京:国防工业出版社,2024
    141页:图;24cm
    
    
    ISBN 978-7-118-13304-2:CNY80.00
    本书利用半导体超晶格作为真随机数发生器的混沌熵源,针对超晶格作为混沌熵源时所涉及的器件设计、混沌信号分析、随机数提取等问题进行研究,从理论上对超晶格混沌产生自激振荡的机理进行了研究,从实践上实现了基于超晶格混沌熵源的随机数发生器设计及产生真随机数的评估。
●
相关链接


正题名:超晶格真随机数产生技术     索取号:TN304.9/2         预约/预借

序号 登录号 条形码 馆藏地/架位号 状态 备注
1 1977251   219772510   样本书库/ [索取号:TN304.9/2] 在馆    
2 1977252   219772529   理科库/ [索取号:TN304.9/2] 在馆    
3 1977253   219772538   理科库/ [索取号:TN304.9/2] 在馆    
商丘师范学院图书馆 欢迎您!
大连网信软件有限公司© 版权所有