书目信息 |
| 题名： |
多尺度模拟方法在半导体材料位移损伤研究中的应用
|
|
| 作者： | 贺朝会 著 | |
| 分册： | ||
| 出版信息： | 北京 科学出版社 2023 |
|
| 页数： | 198页 | |
| 开本： | 24cm | |
| 丛书名： | 辐射环境模拟与效应丛书 | |
| 单 册： | ||
| 中图分类： | TN304 | |
| 科图分类： | ||
| 主题词： | 半导体材料--损伤--研究 | |
| 电子资源： | ||
| ISBN： | 978-7-03-076469-0 | |
| 000 | 01366nam0 2200277 450 | |
| 001 | 139331789 | |
| 005 | 20130101023641.69 | |
| 010 | @a978-7-03-076469-0@dCNY150.00 | |
| 049 | @aO330106ZGC@bUCS01012164980@c012164980 | |
| 100 | @a20231012d2023 em y0chiy0110 ea | |
| 101 | 0 | @achi |
| 102 | @aCN@b110000 | |
| 105 | @aa z 000yy | |
| 200 | 1 | @a多尺度模拟方法在半导体材料位移损伤研究中的应用@9duo chi du mo ni fang fa zai ban dao ti cai liao wei yi sun shang yan jiu zhong de ying yong@b专著@f贺朝会[等]著 |
| 210 | @a北京@c科学出版社@d2023 | |
| 215 | @a198页@c图@d24cm | |
| 225 | 1 | @a辐射环境模拟与效应丛书 |
| 304 | @a著者还有：唐杜、臧航、邓亦凡、田赏 | |
| 330 | @a本书介绍了用于材料位移损伤研究的多尺度模拟方法，包括辐射与材料相互作用模拟方法、分子动力学方法、动力学蒙特卡罗方法、第一性原理方法、器件电学性能模拟方法等，模拟尺寸从原子尺度的10-10m到百纳米，时间从亚皮秒量级到106s，并给出了多尺度模拟方法在硅、砷化镓、碳化硅、氮化镓材料位移损伤研究中的应用，揭示了典型半导体材料的位移损伤机理和规律，在核技术和辐射物理学科的发展、位移损伤效应研究、人才培养等方面具有重要的学术意义和应用价值。 | |
| 606 | 0 | @a半导体材料@x损伤@x研究 |
| 690 | @aTN304@v5 | |
| 701 | 0 | @a贺朝会@9he chao hui@4著 |
| 801 | 2 | @aCN@bOLCC@c20231130 |
| 801 | 0 | @aCN@b浙江省新华书店集团馆藏图书有限公司@c20231012 |
| 801 | 2 | @aCN@bO330106ZGC@c20231018 |
| 905 | @a241250@dTN304@e7 | |
| 多尺度模拟方法在半导体材料位移损伤研究中的应用/贺朝会[等]著.-北京：科学出版社，2023 |
| 198页：图；24cm.-(辐射环境模拟与效应丛书) |
| ISBN 978-7-03-076469-0：CNY150.00 |
| 本书介绍了用于材料位移损伤研究的多尺度模拟方法，包括辐射与材料相互作用模拟方法、分子动力学方法、动力学蒙特卡罗方法、第一性原理方法、器件电学性能模拟方法等，模拟尺寸从原子尺度的10-10m到百纳米，时间从亚皮秒量级到106s，并给出了多尺度模拟方法在硅、砷化镓、碳化硅、氮化镓材料位移损伤研究中的应用，揭示了典型半导体材料的位移损伤机理和规律，在核技术和辐射物理学科的发展、位移损伤效应研究、人才培养等方面具有重要的学术意义和应用价值。 |
| ● |
| 相关链接 |
正题名：多尺度模拟方法在半导体材料位移损伤研究中的应用
索取号：TN304/7
预约/预借
| 序号 | 登录号 | 条形码 | 馆藏地/架位号 | 状态 | 备注 |
| 1 | 1975892 | 219758929 | 样本书库/ [索取号:TN304/7] | 在馆 | |
| 2 | 1975893 | 219758938 | 理科库/ [索取号:TN304/7] | 在馆 | |
| 3 | 1975894 | 219758947 | 理科库/ [索取号:TN304/7] | 在馆 |