书目信息 |
| 题名： |
纳米集成电路FinFET器件物理与模型
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| 作者： | 萨哈 著 ；丁扣宝 译 | |
| 分册： | ||
| 出版信息： | 北京 机械工业出版社 2022 |
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| 页数： | 13,238页 | |
| 开本： | 24cm | |
| 丛书名： | 集成电路科学与工程丛书 | |
| 单 册： | ||
| 中图分类： | TN405 | |
| 科图分类： | ||
| 主题词： | 纳米材料--集成电路工艺--系统建模 | |
| 电子资源： | ||
| ISBN： | 978-7-111-69481-6 | |
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| 305 | @aTaylor & Francis出版集团旗下，CRC出版公司授权出版 | |
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| 330 | @a本书主要内容有：主流MOSFET在22nm节点以下由于短沟道效应所带来的缩小限制概述；基本半导体电子学和pn结工作原理；多栅MOS电容器系统的基本结构和工作原理；非平面CMOS工艺中的FinFET器件结构和工艺技术；FinFET基本理论；FinFET小尺寸效应；FinFET泄漏电流；FinFET寄生电阻和寄生电容；FinFET工艺、器件和电路设计面临的主要挑战；FinFET器件紧凑模型。 | |
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| 纳米集成电路FinFET器件物理与模型/(美)萨马·K. 萨哈(Samar K. Saha)著/丁扣宝译.-北京：机械工业出版社，2022 |
| 13,238页：图；24cm.-(集成电路科学与工程丛书) |
| ISBN 978-7-111-69481-6：CNY119.00 |
| 本书主要内容有：主流MOSFET在22nm节点以下由于短沟道效应所带来的缩小限制概述；基本半导体电子学和pn结工作原理；多栅MOS电容器系统的基本结构和工作原理；非平面CMOS工艺中的FinFET器件结构和工艺技术；FinFET基本理论；FinFET小尺寸效应；FinFET泄漏电流；FinFET寄生电阻和寄生电容；FinFET工艺、器件和电路设计面临的主要挑战；FinFET器件紧凑模型。 |
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正题名：纳米集成电路FinFET器件物理与模型
索取号：TN405/9
预约/预借
| 序号 | 登录号 | 条形码 | 馆藏地/架位号 | 状态 | 备注 |
| 1 | 1963524 | 219635241 | 样本书库/ [索取号:TN405/9] | 在馆 | |
| 2 | 1963525 | 219635250 | 理科库/ [索取号:TN405/9] | 在馆 | |
| 3 | 1963526 | 219635269 | 理科库/ [索取号:TN405/9] | 在馆 |